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口頭

単結晶Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ナノ材料の形態変化

田口 富嗣; 山本 博之; 社本 真一

no journal, , 

Si$$_{3}$$N$$_{4}$$は、優れた高温機械特性を持つだけでなく、電気的及び光学的にも優れた機能を有しているために広い分野への応用が期待されている。これまでに、セラミックスの補強材料として、Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ナノワイヤー等の一次元ナノ材料が合成されてきた。しかしながら、二次元構造であるナノシートの合成は、まだ行われていない。本研究では、Si粉末を窒素雰囲気で熱処理するという簡便な方法において、熱処理温度や窒素ガス流量を変化することにより、単結晶Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ナノ材料を合成した。その結果、熱処理温度が1300$$^{circ}$$Cと低い場合、単結晶Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ナノワイヤーが多く合成された。熱処理温度を1400$$^{circ}$$C、窒素流量を0.2liter/minとした場合、ナノワイヤーに比べて二次元的な単結晶Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ナノベルトが多く形成された。さらに、熱処理温度を1400$$^{circ}$$C、窒素流量を0.75liter/minと高くした場合、幅が3$$mu$$m以上と広く、厚みが1.5-4nmと薄い単結晶Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ナノシートの合成に初めて成功した。

口頭

X線磁気円二色性測定によるC60-Coナノ・グラニュラー薄膜の磁気特性解析

松本 吉弘; 境 誠司; 楢本 洋*; 高木 康多*; 中川 剛志*; 島田 敏宏*; 横山 利彦*; 前田 佳均

no journal, , 

近年、われわれはフラーレン(C60)-コバルト(Co)化合物中にCoのナノ粒子が分散した構造を持つC60-Coナノ・グラニュラー薄膜において、低温で巨大なトンネル磁気抵抗効果が発現されることを確認した。その大きさは膜中に存在する粒子間のトンネル伝導のみでは十分に説明することができず、基層となる化合物の存在がトンネル伝導に深く関与しているものと推測される。本研究ではCo粒子及びC60-Co化合物の磁気特性に関する情報を得ることを目的とし、放射光を用いたX線磁気円二色性(XMCD)測定を行った。結果として、C60-Co化合物相に常磁性的な振舞いを示す混成軌道が存在を確認した。この軌道がトンネル伝導の際にスピンフィルターの役目を果たしているのではないかと推察される。

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